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『簡體書』微电子技术创新与实践教程(第2版)

書城自編碼: 4120628
分類:簡體書→大陸圖書→教材研究生/本科/专科教材
作者: 陈力颖
國際書號(ISBN): 9787302688198
出版社: 清华大学出版社
出版日期: 2024-12-01

頁數/字數: /
書度/開本: 16开 釘裝: 平装

售價:HK$ 75.9

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編輯推薦:
《微电子技术创新与实践教程(第2版)》立足微电子技术前沿的最新技术成果,以培养创新实践能力为主线,将专业教育与创新实践教育有机融合,融入前沿技术、新材料、新设计工具和设计方法等创新实践内容,以培养创新创业精神为核心,是微电子专业的创新与实践的最佳指导书。
內容簡介:
”本书内容包括第3代半导体材料、新型半导体器件、设计工具与设计方法、集成电路工艺技术等,涵盖了从半导体材料、器件、设计到工艺技术,立足微电子技术前沿的**技术成果,以培养创新实践能力为主线,将专业教育与创新实践教育有机融合,以培养创新创业精神为核心,为微电子专业提供了**的技术成果,是微电子专业的创新与实践的**指导书。 本书内容翔实,论述深入浅出,可作为职业院校和高等院校微电子技术相关专业的专科、本科和研究生的教材,也可作为电子制造工程师的参考书和电子企业教育培训的教材。 ”
目錄
第1章第三代半导体材料
1.1第三代半导体材料概述
1.2第三代半导体材料国内外技术现状与发展趋势
1.3第三代半导体在光电器件领域的应用
1.3.1半导体照明
1.3.2短波长激光器
1.3.3光伏电池
1.3.4其他
1.4ZnS半导体材料
1.4.1ZnS基本性质
1.4.2ZnS薄膜的制备方法
1.5ZnS应用研究
1.5.1ZnS在太阳能电池方面的应用研究
1.5.2ZnS在电致发光器件方面的应用研究
1.5.3ZnS在透明电极方面的应用研究
1.6二硫化钼最新研究进展
1.6.1MoS2的性质和结构
1.6.2MoS2的价带结构和光学性质
1.6.3MoS2的制备方法
1.6.4基于MoS2的场效应晶体管应用
1.7小结
参考文献
第2章半导体纳米材料
2.1纳米材料
2.1.1纳米材料概述
2.1.2纳米材料的特性
2.1.3纳米材料的合成与制备
2.2半导体纳米材料
2.2.1半导体纳米材料概述
2.2.2半导体纳米材料的特性
2.2.3半导体纳米材料的合成与制备
2.2.4半导体纳米材料的应用
2.3ZnO材料结构与特性
2.3.1ZnO晶体的物理性质和基本结构
2.3.2ZnO的能带结构
2.3.3ZnO的光学特性
2.3.4ZnO的电学特性
2.3.5ZnO的压电特性
2.4纳米氧化锌复合材料在电化学生物传感器方面的应用
2.4.1电化学生物传感器概述
2.4.2电化学生物传感器的分类
2.4.3基于氧化锌/金纳米复合材料的电化学传感器对抗坏血酸和尿酸的同时检测
2.5ZnO纳米材料在其他方面的应用
2.5.1ZnO纳米材料在发光器件中的应用
2.5.2ZnO纳米材料在太阳能电池中的应用
2.5.3ZnO纳米材料在探测器中的应用
2.5.4ZnO紫外探测器
2.6石墨烯
2.6.1石墨烯概述
2.6.2石墨烯复合材料
2.7石墨烯基复合材料的应用
2.8石墨烯/硅光电探测器
2.8.1石墨烯简介
2.8.2石墨烯的制备方法
2.8.3石墨烯在光电探测器中的应用
2.8.4石墨烯/硅光电探测器的具体介绍
2.9小结
参考文献
第3章金属硒化物半导体纳米材料
3.1CdSe半导体纳米材料
3.1.1CdSe的基本性质
3.1.2CdSe纳米半导体薄膜的制备方法
3.1.3CdSe半导体纳米材料的应用
3.2SnSe半导体材料
3.2.1SnSe半导体材料简介
3.2.2国内外SnSe材料研究现状
3.3ZnSe半导体纳米材料
3.3.1ZnSe半导体纳米材料简介
3.3.2ZnSe的性质、晶体结构及能带结构
3.3.3ZnSe纳米材料的制备方法
3.3.4ZnSe纳米材料的应用
3.4小结
参考文献
第4章碳化硅器件
4.1SiC简介
4.2SiC分立器件的研究现状
4.3SiC器件的分类
4.3.1SiC肖特基二极管
4.3.2SiC功率器件
4.3.3SiC开关器件
4.3.4SiC微波器件
4.4SiC集成电路的研究现状
4.5SiC材料的外延生长
4.6SiC材料的特点与结构
4.7SiC器件在高温环境中的应用
4.8小结
参考文献
第5章可控硅
5.1可控硅简介
5.2可控硅特性
5.3可控硅检测
5.3.1单向可控硅检测
5.3.2双向可控硅检测
5.3.3光控可控硅检测
5.4可控硅元件的使用原理
5.4.1可控硅的分类
5.4.2可控硅元件使用的注意事项
5.4.3可控硅元件的保护措施
5.5可控硅应用
5.6小结
参考文献
第6章绝缘栅双极型晶体管
6.1IGBT原理
6.2IGBT结构及分类
6.2.1IGBT结构
6.2.2PTIGBT和NPTIGBT
6.3IGBT的工作原理
6.4IGBT的特性分析
6.4.1IGBT的静态特性
6.4.2IGBT的动态特性
6.5小结
参考文献
第7章高电子迁移率晶体管
7.1HEMT简介
7.2HEMT原理
7.2.1MESFET
7.2.2HEMT
7.3HEMT器件热特性
7.4AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
7.4.1GaN材料
7.4.2AlGaN/GaN HEMT结构
7.4.3AlGaN/GaN HEMT工作原理
7.5AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与IV特性关系
7.5.1背景简介
7.5.2器件性能的优化分析
7.6小结
参考文献
第8章新工具、新技术在微电子学中的应用
8.1人工神经网络
8.1.1人工神经网络概述
8.1.2人工神经网络基础
8.1.3人工神经网络在微电子学中的应用
8.2智能优化算法
8.2.1概述
8.2.2禁忌搜索算法
8.2.3模拟退火算法
8.2.4遗传算法
8.2.5遗传算法在集成电路设计中的应用
8.3异步设计
8.3.1异步设计的研究
8.3.2异步控制器的实现
8.4卷积神经网络
8.4.1卷积神经网络概述
8.4.2基于FPGA的CNN图像识别加速与优化
8.4.3GCNN
8.5小结
参考文献
第9章集成电路的超低功耗设计
9.1硅基集成电路技术简介
9.2集成电路的功耗分析
9.3纳米尺度工艺的功耗趋势
9.4超低功耗集成电路的工艺及器件结构
9.5集成电路的低功耗设计技术
9.6小结
参考文献
第10章新型工艺
10.1半导体工艺
10.1.1半导体工艺概述
10.1.2半导体工艺发展现状
10.27nm工艺
10.3FinFET技术
10.3.1FinFET概述
10.3.2高K基FinFET
10.4GAAFET技术
10.4.1GAAFET简介
10.4.2GAAFET发展状况
10.5小结
参考文献
第11章微电子新型封装技术
11.1微电子封装技术
11.1.1微电子封装技术概述
11.1.2微电子封装技术发展及其方向
11.2MEMS封装
11.2.1MEMS封装技术
11.2.2键合技术
11.2.3倒装芯片封装技术
11.2.4多芯片封装技术
11.3叠层3D封装
11.3.1芯片叠层
11.3.2封装叠层
11.3.3晶圆叠层3D封装
11.4chiplet封装
11.4.1chiplet简介
11.4.2chiplet封装结构
11.5小结
参考文献
內容試閱
近年来,微电子技术和集成电路工程领域迅猛发展,集成电路技术作为国家战略竞争力的重要标志,已经成为衡量一个国家科技水平的重要指标之一。集成电路器件与集成前沿技术的发展需要从“新器件新材料新工艺新架构”等不同层次出发, 解决相关领域的基础科学和前沿技术问题。通过建设产教融合集成电路平台, 加强高校面向产业应用的人才培养, 支撑企业基础研发。
本书第2版涵盖微电子技术和集成电路工程的最新技术成果,内容涉及半导体材料、新型半导体器件、集成电路设计工具与设计方法、集成电路工艺与封装技术等几部分,并增加近年涌现的新技术和新工艺。本书从工程技术角度结合课程思政,以培养创新实践能力为宗旨,围绕“新工科”人才培养要求,为微电子专业提供最新的技术成果,是微电子专业的创新与实践的最佳指导书。本书可作为职业院校和高等院校的微电子技术相关专业的专科、本科和研究生的教材,也可作为电子制造工程师的参考书和电子企业教育培训的教材。
在本书第2版编著过程中,非常感谢梁家铭协助内容的整理和审校工作。
微电子技术和集成电路工程发展日新月异,尽管竭尽一切可能保证本书内容的准确性,但仍难免出现各种疏漏,恳请各位读者批评指正。

编者2025年2月于工大泮湖




第1版前言

近年来,随着5G移动通信技术、计算机技术、互联网技术和数字多媒体技术的迅猛发展,微电子技术的发展也日新月异。我国各级政府对集成电路产业重要性的认识不断深入,多层次多角度全方位地支持集成电路产业发展。21世纪将是微电子和光电子共同发挥越来越重要作用的时代,是电子科学与技术飞速发展的时代,是技术创新和变革的时代。
本书围绕着微电子技术前沿的最新技术成果,内容涉及半导体材料、新型半导体器件、集成电路设计工具与设计方法、集成电路工艺与封装技术等几个部分,涵盖了从材料、器件、设计到封装制造的最新集成电路工具和技术,以培养创新实践能力为主线,将专业教育与创新实践教育有机融合,以培养创新创业精神为核心,为微电子专业提供最新的技术成果,是微电子专业的创新与实践的最佳指导书。可作为职业院校和高等院校的微电子技术相关专业的专科、本科和研究生的教材,也可作为电子制造工程师的参考书和电子企业教育培训的教材。
在本书编写过程中,非常感谢以下人员协助对本书内容的整理和审校工作:王焱、倪立强、谭康、张长胜、臧涛、胥世俊、汤勇、翦彦龙。
微电子技术的发展一日千里,尽管竭尽一切可能保证本书内容的准确性,但仍难免出现各种疏漏,恳请各位读者批评指正。

陈力颖2020年4月于英国坎特伯雷

 

 

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