《半导体激光器激光波导模式理论（下册）》 - 郭长志编著 - 科学出版社 - 香港大書城

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『簡體書』半导体激光器激光波导模式理论（下册）

書城自編碼： 2694100
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者：郭长志编著
國際書號(ISBN)： 9787030462619
出版社：科学出版社
出版日期： 2015-11-01
版次： 31 印次： 1
頁數/字數： 464/572000
書度/開本： 16开釘裝：平装

售價：HK$ 310.8

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編輯推薦：

《半导体激光器激光波导模式理论下册》适合有关专业的大学高年级学生、研究生、研究人员和教师作为专业教材、参考书或自修提高的读物。

內容簡介：

《半导体激光器激光波导模式理论(下册)》内容简介：模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点，揭示激光模式结构与波导结构的内在联系，从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性，因而量子场论和经典场论基本上导出相同的结果，因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。《半导体激光器激光波导模式理论(下册)》是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上，作了修订和大量补充完备，以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的最新进展。全书论述既重基础又涉及前沿，既重物理概念又重推导编程演算。

第3章缓变波导
3.1延伸抛物型波导
3.1.1二维延伸抛物型实折射率波导
3.1.2出射光束
3.1.3一维延伸抛物型复折射率波导
3.1.4模式稳定性
3.2突变—缓变波导
3.2.1模式电场方程的一维化
3.2.2突变—延伸抛物型波导
3.2.3突变—平方正切波导
3.2.4突变—延伸幂函数波导
3.3截断缓变波导
3.3.1突变—平方双曲正切波导
3.3.2突变—截断幂函数波导
3.4有源区内的注入载流子分布
3.4.1载流子的双极性扩散过程
3.4.2有源区内垂直于结平面方向的载流子分布
3.4.3结电流分布模型
3.4.4一维化结电压模型
3.4.5二维条形结电压分布和改进的模型
3.4.6条形激光器中电压，电流和载流子分布的精确模型——有限差分法
3.5非平面波导
3.5.1结构形式和分析方法
3.5.2非等厚有源层内的扩散方程
3.5.3数值例子
3.5.4非平面波导过程的特点
第4章分布反馈波导
4.1引论
4.2分布反馈激光器
4.2.1周期刻槽的光栅效应
4.2.2耦合波理论
4.2.3近似解析解
4.2.4色散和禁带
4.2.5数值结果
4.2.6增益光栅的实现
4.3分布布拉格反射激光器
4.3.1作为布拉格反射体的周期刻槽
4.3.2分布布拉格反射激光器的基本特性
4.3.3有集成输出波导的半导体激光器
4.3.4光栅刻槽形状对耦合系数的影响
4.4薄膜光学的电磁理论基础
4.4.1薄膜干涉的特点和薄膜与厚膜的判据
4.4.2光波在多层薄膜结构的行为
4.5光学薄膜光学特性的计算方法
4.5.1薄膜光学性质的等效性
4.5.2逐面逐层迭代——菲涅耳矩阵传递法
4.5.3逐面逐层迭代——导纳矩阵和相位矩阵递推法
4.5.4干涉矩阵等效递推法
4.5.5本征值与反射率
4.5.6单层介质膜的主要光学特性
4.5.7膜系的透射率和吸收率
4.5.8光学薄膜的驻波场计算方法
4.5.9图解法及其应用
4.5.10低损耗激光反射体的设计
索引

內容試閱：

3.4有源区内的注入载流子分布
从假定介电分布的电磁模型出发来研究波导过程，可以建立波导结构与模式结构之间的关系，但是还不能直接建立实际器件结构和工作条件与模式行为之间的关系。特别是对于条形激光器，平行于结平面方向的波导是在有注入电流之后才形成的，它不仅随注入电流变化而变化，而且与所形成的光场相互作用，因而在稳态和瞬态过程中出现一系列复杂现象。
在非内建波导的情况下，有源区内的注入载流子分布在很大程度上决定了增益的空间分布和折射率分布，而且折射率分布与增益的正分布（即芯层增益高于限制层）相反，是折射率的反分布（即芯层折射率低于限制层）。在载流子分布不变和没有其他波导机制的情况下，应求出δ（＝△k''／△—n=（△g／△—n）／（2k0））为恒定的负值。但是，如果光场使载流子分布发生畸变，则有可能产生附加的正折射率波导。如果正反折射率波导互相抵消，则可能出现纯增益波导情况。如果有源区中有应力场存在则还将叠加上正的或反的折射率波导效应，使实际波导结构更加复杂。如果不与形成波导的各机制联系起来，则将不能定量说明所假定的介电分布电磁模型的物理根源，也无法建立介电分布电磁模型与波导结构及工作条件之间的联系，更不能研究当工作条件变化时，波导结构和模式行为将如何随之变化，因而也就不能说明或预见实际半导体激光器所出现或将出现的种种现象，所以也就不能更准确地设计出能够实现所需性能的具体半导体激光器结构。

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