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	T/CWEC 23—2021 水利水电工程施工项目经理评价规程 （中国水利企业协会） 『简体书』 作者：中国水利企业协会　　出版：　　日期：2021-04-01 范围 本文件规定了水利水电工程施工项目经理评价的原则、程序、指标及结果等。 本文件适用于对水利水电工程施工项目经理的评价。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其版本（包括所有的修改单）适 ...	詳情>>	售價：HK$ 25.0

	半导体材料及器件的辐射效应 『简体书』 作者：刘忠立，高见头 著　　出版：国防工业出版社　　日期：2020-08-01 本书共11章，主要内容包括辐射环境、辐射效应相关的半导体基础知识、辐射效应的一般概念、半导体材料的辐射效应、Si器件的辐射效应、GaAs半导体器件的辐射效应、光电子器件的辐射效应、Si集成电路的辐射效应及加固技术、纳米级CMOS集成电路的辐射效应及加固技术、半导器件辐射效应的一些新研究动向、辐射效应模拟试验及测试技术。 ...	詳情>>	售價：HK$ 129.4

	半导体制造工艺基础 『简体书』 作者：[美]施敏，[美]梅凯瑞 著，吴秀龙，彭春雨，陈军宁 译　　出版：安徽大学出版社　　日期：2020-09-01 本书主要介绍从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，具体包括晶体生长、硅的氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜淀积、工艺集成、集成电路制造、半导体制造的未来趋势和挑战等。每章均提供一些实例及解答，很后附有课外习题。 本书可供高等学校微电子、集成电路设计相关专业的学生使用，也可供从事半导体相关研究和开发的工 ...	詳情>>	售價：HK$ 77.9

	改性锗半导体物理 『简体书』 作者：宋建军　　出版：西安电子科技大学出版社　　日期：2020-12-01 本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书 ...	詳情>>	售價：HK$ 26.4

	半导体制造工艺 第2版 『简体书』 作者：张渊　　出版：机械工业出版社　　日期：2021-11-01 本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品，以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程，工艺 ...	詳情>>	售價：HK$ 60.8

	功率半导体器件封装技术 『简体书』 作者：朱正宇 王可 蔡志匡 肖广源　　出版：机械工业出版社　　日期：2022-08-01 本书主要阐述了功率半导体器件封装技术的发展历程及其涉及的材料、工艺、质量控制和产品认证等方面的基本原理和方法。同时对功率半导体器件的电性能测试、失效分析、产品设计、仿真应力分析和功率模块的封装技术做了较为系统的分析和阐述，也对第三代宽禁带功率半导体器件的封装技术及应用于特殊场景（如汽车和航天领域）的功率器件封装技术及质 ...	詳情>>	售價：HK$ 113.9

	半导体器件电离辐射总剂量效应 『简体书』 作者：陈伟等　　出版：科学出版社　　日期：2022-09-01 辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。《半导体器件电离辐射总剂量效应 ...	詳情>>	售價：HK$ 155.3

	氧化镓半导体器件 『简体书』 作者：龙世兵　　出版：西安电子科技大学出版社　　日期：2022-09-01 本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料，在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章，第1~4章（氧化镓材料部分）介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注 ...	詳情>>	售價：HK$ 147.2

	半导体光谱和光学性质（第三版） 『简体书』 作者：沈学础　　出版：科学出版社　　日期：2020-09-01 《半导体光谱和光学性质（第三版）》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及量子点结构等的光谱和光学性质.从宏观光学常数和量子理论出发，分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、磁光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质.《半导体光谱和光学性质（第三版）》第二版总结了 ...	詳情>>	售價：HK$ 491.7

	芯片制造 半导体工艺与设备 『简体书』 作者：陈译 陈铖颖 张宏怡　　出版：机械工业出版社　　日期：2021-11-01 本书着重介绍了半导体制造设备，并从实践的角度出发，选取了具有代表性的设备进行讲解。为了让读者加深对各种设备用途的理解，采用了一边阐述半导体制造工艺流程、一边说明各制造工艺中所使用的制造设备及其结构和原理的讲解方式，力求使读者能够系统性地了解整个半导体制造的体系。本书可作为从事集成电路工艺与设备方面工作的工程技术人员，以 ...	詳情>>	售價：HK$ 84.2

	金刚石半导体器件前沿技术 『简体书』 作者：张金风　　出版：西安电子科技大学出版社　　日期：2022-09-01 本书以作者近年来的研究成果为基础，结合国际研究进展，系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法，重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章，内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯金刚石复合器 ...	詳情>>	售價：HK$ 124.2

	半导体先进封装技术 『简体书』 作者：[美]刘汉诚[John H. Lau]　　出版：机械工业出版社　　日期：2023-09-01 《半导体先进封装技术》作者在半导体封装领域拥有40多年的研发和制造经验。《半导体先进封装技术》共分为11章，重点介绍了先进封装，系统级封装，扇入型晶圆级板级芯片尺寸封装，扇出型晶圆级板级封装，2D、2.1D和2.3D IC集成，2.5D IC集成，3D IC集成和3D IC封装，混合键合，芯粒异质集成，低损耗介电材料和 ...	詳情>>	售價：HK$ 217.4

	多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用 『简体书』 作者：贺朝会，唐杜，臧航，邓亦凡，田赏　　出版：科学出版社　　日期：2023-10-01 本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导 ...	詳情>>	售價：HK$ 172.5

	半导体集成电路制造手册（第二版） 『简体书』 作者：[美]Hwaiyu Geng[耿怀渝]　　出版：电子工业出版社　　日期：2022-02-01 本书是一本综合性很强的半导体集成电路制造方面的参考手册，由70多位国际专家撰写，并在其前一版的基础上进行了全面的修订与更新。本书内容涵盖集成电路芯片、MEMS、传感器和其他电子器件的设计与制造过程，相关技术的基础知识和实际应用，以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。第二版新增了物联网、工业物联网、数据分 ...	詳情>>	售價：HK$ 308.2

	半导体器件中的辐射效应 『简体书』 作者：[加]Krzysztof Iniewski[克日什托夫·印纽　　出版：电子工业出版社　　日期：2021-12-01 这本书的内容主要介绍了各类先进电子器件在辐射环境（航天，核物理等）下的行为及效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题。在这本书中，作者从各个不同的角度试图分析这个问题，目的是解释理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时所观察到的退化效应的重要方面。内容包括目前国际上对于半导体器件辐射效应关注的各个方向，从传统 ...	詳情>>	售價：HK$ 147.2

	半导体物理学 『简体书』 作者：李名复　　出版：科学出版社　　日期：2017-06-01 本书介绍近代半导体物理学申比较活跃的几个领域的基本成就和新的发展。全书共五章：*章论述完整晶体的能带理沦，其中包括LCAO方法，赝势方法，kp方法和自旋轨道稿合;第二章论述半导体中的缺陷态。重点介绍深能级的理论和实验;第三章介绍半导体的光学性质，包括光吸收、激子、发光和拉曼散射;第四章论述半导体表面，重点讨论清洁的外表 ...	詳情>>	售價：HK$ 185.6

	半导体光催化剂的设计、制备及表征 『简体书』 作者：张少锋 著　　出版：化学工业出版社　　日期：2021-11-01 本书是在国内外有关研究的基础上，结合作者多年来对半导体光催化剂的研究成果编写而成，系统介绍了光催化剂的设计及制备方法，同时对能级结构对半导体光催化剂催化活性的影响进行了探讨，为设计制造新型高效光催化剂给予了一定的理论指导。本书共分为9 章，主要内容包括：光催化物理基础；光催化技术基础和光催化剂的设计；半导体光催化剂的制 ...	詳情>>	售價：HK$ 66.7

	第三代半导体技术与应用 『简体书』 作者：姚玉 洪华　　出版：暨南大学出版社　　日期：2021-12-01 本书为“中国芯片制造系列”的第二本，是一本系统地阐述碳化硅半导体材料生长和加工工艺的专著，填补了国内该领域书籍对于近期碳化硅制造工艺新技术及进展介绍的空白。本书较为全面地阐述了不同晶型的碳化硅从长晶、衬底制造、外延制造全流程的生产技术，展现了国内外碳化硅制造领域近期的发展成果，论述了碳化硅材料的热力学性质、生长原理、晶 ...	詳情>>	售價：HK$ 147.2

	半导体量子点掺杂的光纤 『简体书』 作者：张蕾 著　　出版：冶金工业出版社　　日期：2021-01-01 本书首先介绍了半导体量子点、光纤以及量子点掺杂光纤的基本概念、基本原理、研究意义、研究现状以及在各个领域的应用。其次，利用胶体化学法合成PbSe量子点并对行表征，然后将其灌装到空芯光纤中制作成量子点掺杂的液芯光纤，搭建实验光路，得到光纤末端出射光谱光谱的峰值强度和峰值位置随不同光纤参数、溶剂以及外界温度的变化情况。同时 ...	詳情>>	售價：HK$ 86.3

	氮化物半导体太赫兹器件 『简体书』 作者：冯志红　　出版：西安电子科技大学出版社　　日期：2022-09-01 随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、 ...	詳情>>	售價：HK$ 147.2

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