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『簡體書』改性锗半导体物理

書城自編碼: 3591840
分類:簡體書→大陸圖書→教材研究生/本科/专科教材
作者: 宋建军
國際書號(ISBN): 9787560659510
出版社: 西安电子科技大学出版社
出版日期: 2020-12-01

頁數/字數: /
書度/開本: 16开 釘裝: 平装

售價:HK$ 26.4

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內容簡介:
本书共7章,主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容,包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习,可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。
本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书,也可供其他相关专业的学生参考。

 

 

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