《宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能》 - 陶绪堂 - 西安电子科技大学出版社 - 香港大書城

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『簡體書』宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能

書城自編碼： 3797193
分類：簡體書→大陸圖書→教材→研究生/本科/专科教材
作者：陶绪堂
國際書號(ISBN)： 9787560664446
出版社：西安电子科技大学出版社
出版日期： 2022-09-01

頁數/字數： /
書度/開本： 16开釘裝：精装

售價：HK$ 147.2

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內容簡介：

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。
本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

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