《模拟CMOS集成电路系统化设计》 - [比]保罗·G.A.杰斯珀斯 [美]鲍里斯·默尔曼 - 机械工业出版社 - 香港大書城

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『簡體書』模拟CMOS集成电路系统化设计

書城自編碼： 3773272
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者： [比]保罗·G.A.杰斯珀斯 [美]鲍里斯·默尔曼
國際書號(ISBN)： 9787111707455
出版社：机械工业出版社
出版日期： 2022-07-01

頁數/字數： /
書度/開本： 16开釘裝：平装

售價：HK$ 113.9

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內容簡介：

本书是一本实践性指南，它给出一种纳米尺度CMOS模拟电路集成电路设计的新方法，新方法具有高效的特性，且可对电路行为带来深入洞察。

译者序符号与缩略语表第1章绪论1.1写作缘由1.2模拟电路尺寸问题和提出的方法1.2.1平方律视角1.2.2使用查询表进行权衡1.2.3一般化1.2.4VGS未知的设计1.2.5弱反型下的设计1.3内容概述1.4关于预备知识1.5关于符号1.6参考文献第2章基础晶体管建模2.1CSM2.1.1CSM中的漏极电流方程2.1.2漏极电流与漏极电压的关系2.1.3跨导效率gm/ID2.2基础EKV模型2.2.1基础EKV方程2.2.2共源MOS晶体管的基础EKV模型2.2.3EKV模型的强、弱反型近似2.2.4基础EKV模型中gm和gm/ID的表达式2.2.5从EKV模型中提取参数2.3实际的晶体管2.3.1实际漏极电流的特征ID(VGS) 和gm/ID2.3.2实际晶体管的漏极饱和电压VDsat2.3.3偏置条件对EKV参数的影响2.3.4漏极电流特性ID(VDS)2.3.5输出电导gds2.3.6gds/ID之比2.3.7本征增益2.3.8MOSFET电容和特征频率fT2.4本章小结2.5参考文献第3章使用gm/ID方法的基本尺寸设计3.1本征增益级的尺寸设计3.1.1电路分析3.1.2设计尺寸时的考虑因素3.1.3对于给定的gm/ID设计尺寸3.1.4基本权衡探索3.1.5在弱反型下设计尺寸3.1.6使用漏极电流密度设计尺寸3.1.7包含外部电容3.2实际共源级3.2.1有源负载3.2.2电阻负载3.3差分放大器级3.4本章小结3.5参考文献第4章噪声、失真与失配4.1电噪声4.1.1热噪声建模4.1.2热噪声、增益带宽与供电电流间的权衡4.1.3来自有源负载的热噪声4.1.4闪烁噪声（1/f噪声）4.2非线性失真4.2.1MOS跨导的非线性4.2.2MOS差分对的非线性4.2.3输出电导4.3随机失配4.3.1随机失配建模4.3.2失配在电流镜中的影响4.3.3失配在差分放大器中的影响4.4本章小结4.5参考文献第5章电路应用实例Ⅰ5.1恒定跨导偏置电路5.2高摆幅级联电流镜5.2.1调整电流镜器件的大小5.2.2对共源共栅偏置电路进行尺寸设计5.3低压降稳压器5.3.1低频分析5.3.2高频分析5.4射频低噪声放大器5.4.1为低噪声系数设计尺寸5.4.2为低噪声系数和低失真设计尺寸5.5电荷放大器5.5.1电路分析5.5.2假定特征频率恒定的优化5.5.3假定漏极电流恒定的优化5.5.4假定噪声和带宽恒定的优化5.6为工艺边界进行设计5.61偏置的考虑5.62对于工艺和温度的工艺评估5.63可能的设计流程5.7本章小结5.8参考文献第6章电路应用实例Ⅱ6.1开关电容电路的基本OTA6.1.1小信号电路分析6.1.2假定噪声和带宽恒定的优化6.1.3考虑摆幅的优化6.2用于开关电容电路的折叠式共源共栅OTA6.2.1设计方程6.2.2优化流程6.2.3存在压摆时的优化6.3用于开关电容电路的两级OTA6.3.1设计方程6.3.2优化流程6.3.3存在压摆时的优化6.4简化设计流程6.4.1折叠共源共栅OTA6.4.2两级OTA6.5开关尺寸调整6.6本章小结6.7参考文献附录A EKV参数提取算法附录B 查询表的生成与使用附录C 布局依赖

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