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『繁體書』半導體製程技術導論(第三版)

書城自編碼: 2479738
分類:繁體書 →台灣書
作者: 蕭宏
國際書號(ISBN): 9789572195758
出版社: 全華圖書
出版日期: 2012-07-11
版次: 三版
頁數/字數: 672頁
書度/開本: 19x26cm

售價:HK$ 319.2

 

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內容簡介:
本書譯自HongXiao蕭宏原著「IntroductiontoSemiconductorManufacturingTechnology」第二版,提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院,電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。

本書特色:

1.本書延續上一版,極完整的章節架構,並更新了各相關新技術。
2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。
3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,使學生熟悉各種加工原理及其應用領域,以作為投入電子工業之基礎訓練課程。
目錄
第一章導論1
1.1積體電路發展歷史3
1.2積體電路發展回顧14
1.3本章總結22
習題22
參考文獻22
第二章積體電路製程介紹25
2.1積體電路製程簡介26
2.2積體電路的良率26
2.3無塵室技術30
2.4積體電路製程區間基本結構38
2.5積體電路測試與封裝48
2.6積體電路未來發展趨勢55
2.7本章總結56
習題57
參考文獻58
第三章半導體基礎59
3.1半導體基本概念60
3.2半導體基本元件64
3.3積體電路晶片75
3.4積體電路基本製程79
3.5互補式金屬氧化物電晶體86
3.62000後半導體製程發展趨勢90
3.7本章總結92
習題93
參考文獻93
第四章晶圓製造95
4.1簡介96
4.2為什麼使用矽材料96
4.3晶體結構與缺陷98
4.4晶圓生產技術101
4.5磊晶矽生長技術109
4.6基板工程117
4.7本章總結121
習題122
參考文獻122
第五章加熱製程125
5.1簡介126
5.2加熱製程的硬體設備126
5.3氧化製程130
5.4擴散製程150
5.5退火過程155
5.6高溫化學氣相沉積159
5.7快速加熱製程RTP系統167
5.8加熱製程發展趨勢174
5.9本章總結176
習題177
參考文獻178
第六章微影製程179
6.1簡介180
6.2光阻181
6.3微影製程184
6.4微影技術的發展趨勢210
6.5安全性228
6.6本章總結229
習題231
參考文獻232
第七章電漿製程235
7.1簡介236
7.2電漿基本概念236
7.3電漿中的碰撞238
7.4電漿參數242
7.5離子轟擊247
7.6直流偏壓249
7.7電漿製程優點251
7-8電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器255
7.10高密度電漿製程260
7.11本章總結262
習題263
參考文獻263
第八章離子佈植製程265
8.1簡介266
8.2離子佈植技術簡介273
8.3離子佈植技術硬體設備281
8.4離子佈植製程過程290
8.5安全性304
8.6離子佈植技術發展趨勢306
8.7本章總結308
習題309
參考文獻310
第九章蝕刻製程311
9.1蝕刻製程簡介312
9.2蝕刻製程基礎314
9.3濕式蝕刻製程320
9.4電漿乾式蝕刻製程325
9.5電漿蝕刻製程338
9.6蝕刻製程發展趨勢357
9.7蝕刻製程未來發展趨勢359
9.8本章總結361
習題362
參考文獻362
第十章化學氣相沉積與介電質薄膜365
10.1簡介366
10.2化學氣相沉積368
10.3介電質薄膜的應用385
10.4介電質薄膜特性393
10.5介電質CVD製程406
10.6塗佈旋塗矽玻璃420
10.7高密度電漿CVDHDP-CVD421
10.8介電質CVD反應室清潔424
10.9製程發展趨勢與故障排除428
10.10化學氣相沉積製程發展趨勢434
10.11本章總結441
習題443
參考文獻444
第十一章金屬化製程447
11.1簡介448
11.2導電薄膜450
11.3金屬薄膜特性464
11.4金屬化學氣相沉積472
11.5物理氣相沉積481
11.6銅金屬化製程493
11.7安全性499
11.8本章總結499
習題501
參考文獻502
第十二章化學機械研磨製程503
12.1簡介504
12.2CMP硬體設備514
12.3CMP研磨漿517
12.4CMP基本理論523
12.5CMP製程過程529
12.6CMP製程發展趨勢538
12.7本章總結539
習題540
參考文獻542
第十三章半導體製程整合545
13.1簡介546
13.2晶圓準備546
13.3隔離技術548
13.4井區形成554
13.5電晶體製造557
13.6金屬高k閘極MOS561
13.7互連技術565
13.8鈍化574
13.9總結575
習題575
參考文獻576
第十四章IC製程技術577
14.1簡介578
14.2上世紀80年代CMOS製程流程578
14.3上世紀90年代CMOS製程流程582
14.42000年代CMOS製程流程596
14.52010年代CMOS製程流程615
14.6記憶體晶片製造製程627
14.7本章總結644
習題645
參考文獻646
第十五章半導體製程發展趨勢和總結649
參考文獻656

 

 

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