我在撰写《光刻原理》一书中有关EUV光刻的章节时曾面临这样的挑战∶一方面想保留较多EUV光刻的关键内容，另一方面又必须控制章节的长度，以保证该书能全面地涵盖光刻技术的所有主要方面。因此如果能有一本专门论述EUV光刻的著作会十分有用。尽管已经有几本论述EUV光刻技术诸多方面的书籍，但它们通常是多个专家分别对各个主题撰写章节，然后汇编成书。如果一本书里每一章节的论述都来自同一个视角，一个晶圆厂光刻工程师的视角，我认为那会非常有益。
使EUV光刻机达到量产化要求，需要在光刻技术有关的几乎各个方面进行大量的技术开发（也包括大量的基础研究），其中包括设备、光刻胶、掩模板、量测和计算方法等方面。本书对这些主题都有所讨论，但会着重论述EUV光刻技术在这些方面的独特之处。我们假设读者是熟悉光学光刻技术的，因为许多与EUV光刻相关的概念是从光学光刻技术演化而来并逐渐成熟的。
多年来，我很荣幸也很高兴在EUV光刻技术方面曾与众多杰出并充满激情的工程师和科学家合作，其中许多来自 AMD、AMTC和 GF 等公司，还有其他合作伙伴来自Sematech、EUV LLC、INVENT和IMEC等。此外，与光刻设备或材料供应商的工程师、经理和管理层的互动也让我受益匪浅。本书中的大部分内容来源于所列参考文献中出现的同事和合作伙伴。我希望这本书是对他们辛苦工作的回馈。
许多人为这本书提供了宝贵资料，有的通过他们发表的文章和书籍，有的专门为本书友情提供图表，特此感谢以下诸位提供并允许我使用他们的图表∶
Dr. Bruno La Fontaine of ASML（图1-1、图1-3）； Mr. Kevin Nguyen and Ms.Shannon Austin of SEMI（图1-7）；Mr. Athanassios Kaliudis and Mr. Florian Heinig of Trumpf GmbH（图2-4）；Dr.Torsten Feigl of optiX fab GmbH（图2-6）；Dr.Hakaru Mizoguchi of Gigaphoton，Inc.（图2-8）；Dr.Igor Fomenkov of ASML （图2-12）；Dr.Anthony Yen of ASML（图2-13、图4-25和图4-26）；Dr.Patrick Naulleau of Lawrence Berkeley National Laboratory（图2-14、图4-18）；Mr. Toru Fujinami and Mr. Sam Gunnell of Energetiq（图2-18）； Dr. Erik Hosler （图2-25、图2-28）；Dr. Winfried Kaiser of Carl Zeiss（图3-4、图3-5）；Dr.Yulu Chen of Synopsys，Inc.（图3-7）；Dr. Sudhar Raghunathan（图3-9）；Dr.Carlos A.Duran of Corning，Inc.（图3-11、图3-12）；Dr.David Trumper of MIT and Dr. Won-Jon Kim of Texas A&M University（图3-17）；Dr. Obert Wood （图4-6）；Dr. Uzodinma Okoroanyanwu of Univ. of Massachusetts（图4-22）；Mr.Preston Williamson of Entegris（图4-31）；Prof. Takahiro Kozawa of Osaka University（图5-1）；Prof.Takeo Watanabe of Hyogo University（图5-11）；Dr. Timothy Weidman of Lam Research， Inc.（图5-23）； Dr.Lieve Van Look of Imec （图6-13）；Dr.Peter De Bisschop of Imec（图6-18）；Dr.Jan Van Schoot of ASML（图7-5）；Dr.Yuya Kamei of Tokyo Electron Ltd.（图7-7）；Mr.Masashi Sunako of Lasertee USA，Inc.（图8-4）；Ms.Anna Tchikoulaeva of Lasertec USA，Inc.（图8-5）；Dr. Klaus Zahlten of Carl Zeiss SMT GmbH（图10-7）； and Dr. Vadim Vanine of ASML（图10-12）.
最后，我想感谢我的夫人劳瑞（Laurie），感谢她持久不变的耐心。
哈利·杰·莱文森
2020年8月
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