《半导体照明技术（第二版）》 - 方志烈 - 电子工业出版社 - 香港大書城

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『簡體書』半导体照明技术（第二版）

書城自編碼： 3167947
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者：方志烈
國際書號(ISBN)： 9787121340369
出版社：电子工业出版社
出版日期： 2018-04-01
版次： 1
頁數/字數： 396/
書度/開本： 16开釘裝：平塑

售價：HK$ 112.2

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內容簡介：

本书在介绍半导体照明器件———发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、全面，通过理论联系实际，重点突出了 “半导体照明”主题，反映了国内外*的应用技术。

關於作者：

方志烈，1938年2月出生于江苏江阴。1961年毕业于复旦大学并留校任教，现任该校教授。中国发光学会理事。上海市通信学会光通信专业委员会委员。

第1章光视觉颜色
11光
111光的本质
112光的产生和传播
113人眼的光谱灵敏度
114光度学及其测量
12视觉
121作为光学系统的人眼
122视觉的特征与功能
13颜色
131颜色的性质
132国际照明委员会色度学系统
133色度学及其测量
第2章光源
21自然光源
211太阳
212月亮和行星
22人工光源
221人工光源的发明与发展
222白炽灯
223卤钨灯
224荧光灯
225低压钠灯
226高压放电灯
227无电极放电灯
228发光二极管
229照明的经济核算
第3章半导体发光材料晶体导论
31晶体结构
311空间点阵
312晶面与晶向
313闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构
314缺陷及其对发光的影响
32能带结构
33半导体晶体材料的电学性质
331费米能级和载流子
332载流子的漂移和迁移率
333电阻率和载流子浓度
334寿命
34半导体发光材料的条件
341带隙宽度合适
342可获得电导率高的p型和n型晶体
343可获得完整性好的优质晶体
344发光复合概率大
第4章半导体的激发与发光
41pn结及其特性
411理想的pn结
412实际的pn结
42注入载流子的复合
421复合的种类
422辐射型复合
423非辐射型复合
43辐射与非辐射复合之间的竞争
44异质结构和量子阱
441异质结构
442量子阱
第5章半导体发光材料体系
51砷化镓
52磷化镓
53磷砷化镓
531GaAs060P040GaAs
532晶体中的杂质和缺陷对发光效率的影响
54镓铝砷
55铝镓铟磷
56铟镓氮
第6章半导体照明光源的发展和特征参量
61发光二极管的发展
62发光二极管材料生长方法
63高亮度发光二极管芯片结构
631单量子阱（SQW）结构
632多量子阱（MQW）结构
633分布布拉格反射（DBR）结构
634透明衬底技术（Transparent Substrate，TS）
635镜面衬底（Mirror Substrate，MS）
636透明胶质黏结型
637表面纹理结构
64照明用LED的特征参数和要求
641光通量
642发光效率
643显色指数
644色温
645寿命
646稳定性
647热阻
648抗静电性能
第7章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长
71磷砷化镓氢化物气相外延生长（HVPE）
72氢化物外延体系的热力学分析
73液相外延原理
74磷化镓的液相外延
741磷化镓绿色发光材料外延生长
742磷化镓红色发光材料外延生长
75镓铝砷的液相外延
第8章铝镓铟磷发光二极管
81AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论
811源材料
812生长条件
813器件生长
82外延材料的规模生产问题
821反应器问题：输送和排空处理
822均匀性的重要性
823源的质量问题
824颜色控制问题
825生产损耗问题
83电流扩展
831欧姆接触的改进
832p型衬底上生长
833电流扩展窗层
834氧化铟锡（ITO）
84电流阻挡结构
85光的取出
851上窗设计
852衬底吸收
853分布布拉格反射LED
854GaP晶片黏结透明衬底LED
855胶质黏着（蓝宝石晶片黏结）
856纹理表面结构
86芯片制造技术
87器件特性
第9章铟镓氮发光二极管
91GaN生长
911未掺杂GaN
912n型GaN
913p型GaN
914GaN pn结LED
92InGaN生长
921未掺InGaN
922掺杂InGaN
93InGaN LED
931InGaNGaN双异质结LED
932InGaNAlGaN双异质结LED
933InGaN单量子阱（SQW）结构LED
934高亮度绿色和蓝色LED
935InGaN多量子阱（MQW）结构LED
936紫外LED
937AlGaN深紫外LED
938硅衬底GaN蓝光LED
94提高质量和降低成本的几个重要技术问题
941衬底
942缓冲层
943激光剥离（LLO）
944氧化铟锡（ITO）
945表面纹理结构
946图形衬底技术（PSS）
947微矩阵发光二极管（MALED）
948光子晶体（Photonic Crystal，PC）LED
949金属垂直光子LED（MVP LED）
第10章LED芯片制造技术
101光刻技术
102氮化硅生长
103扩散
104欧姆接触电极
105ITO透明电极
106表面粗化
107光子晶体
108激光剥离（Laser Liftoff，LLO）
109倒装芯片技术
1010垂直结构芯片技术
1011芯片的切割
1012LED芯片结构的发展
第11章白光发光二极管
111新世纪光源的研制目标
112人造白光的最佳化
1121发光效率和显色性的折中
1122二基色体系
1123多基色体系
113荧光粉转换白光LED
1131二基色荧光粉转换白光LED
1132多基色荧光粉转换白光LED
1133紫外LED激发多基色荧光粉
114多芯片白光LED
1141二基色多芯片白光LED
1142多基色多芯片白光LED
第12章LED封装技术
121LED器件的设计
1211设计原则
1212电学设计
1213热学设计
1214光学设计
1215视觉因素
122LED封装技术
1221小功率LED封装
1222SMD LED的封装
1223芯片级封装（CSP）
1224大电流LED的封装
1225功率LED的封装
1226功率LED组件
1227铟镓氮类LED的防静电措施
第13章发光二极管的测试
131发光器件的效率
1311发光效率
1312功率效率
1313量子效率
132电学参数
1321伏安特性
1322总电容
133光电特性参数光电响应特性
134光度学参数
1341法向光强I0的测定
1342发光强度角分布（半强度角和偏差角）
1343总光通量的测量
1344量值传递
135色度学参数
1351光谱分布曲线
1352光电积分法测量色度坐标
136热学参数（结温、热阻）
137静电耐受性
第14章发光二极管的可靠性
141LED可靠性概念
1411可靠性的含义
1412可靠度的定义
1413LED可靠性的相关概念
142LED的失效分析
1421芯片的退化
1422环氧系塑料的寿命分析
1423管芯的寿命分析
1424荧光粉的退化
143可靠性试验
1431小功率LED环境试验
1432功率LED环境试验
144寿命试验
1441磷化镓发光器件的寿命试验
1442功率LED（白光）长期工作寿命试验
1443加速寿命试验
145可靠性筛选
1451功率老化
1452高温老化
1453湿度试验
1454高低温循环
1455其他项目的选用
146例行试验和鉴定验收试验
1461例行试验
1462鉴定验收试验
第15章有机发光二极管
151有机发光二极管材料
1511小分子有机物
1512高分子聚合物
1513镧系金属有机化合物
152有机发光二极管的结构和原理
153OLED实现白光的途径
1531波长转换
1532颜色混合
154有机发光二极管的驱动
155有机发光二极管研发现状
第16章半导体照明驱动和控制
161LED驱动技术
1611LED的电学性能特点
1612电源驱动方案
1613驱动电路基本方案
1614LED驱动器的特性
1615LED与驱动器的匹配
162LED驱动器
1621电容降压式LED驱动器
1622电感式LED驱动器
1623电荷泵式LED驱动器
1624LED恒流驱动器
163LED集成驱动电路
1631电荷泵驱动LED的典型电路
1632开关式DCDC变换器驱动LED的典型电路
1633限流开关TPS2014TPS2015
1634六路串联白光LED驱动电路MAX8790
1635集成肖特基二极管的恒流白光LED驱动器LT3591
1636低功耗高亮度LED驱动器LM3404
1637具有诊断功能的16通道LED驱动器AS1110
1638高压线性恒流LED驱动电路
164控制技术
1641调光
1642调色
1643调色温
1644智能照明
第17章半导体照明应用
171半导体照明应用产品开发原则
1711要从LED的优点出发开发应用产品
1712应用产品市场启动的判据照明成本
1713应用产品的技术关键是散热
1714遵循功率由低到高、技术由易到难的原则
1715造型设计要创新
1716照明灯具通则
172LED显示屏
1721总体发展规模
1722产品技术完善
1723新品继续拓展
173交通信号灯
1731道路交通信号灯
1732铁路信号灯
1733机场信号灯
1734航标灯
1735路障灯
1736航空障碍灯
174景观照明
1741城市景观照明的功能作用
1742光源选择以LED为佳
1743LED景观灯具
1744LED景观照明典型工程
1745景观照明走向规范化
175手机应用
176汽车用灯
177LCD显示背光源
1771小尺寸面板背光源的技术和市场状况
1772中小尺寸面板背光源的技术和市场状况
1773中大尺寸面板背光源的技术和市场状况
1774大尺寸面板背光源的技术和市场状况
178通用照明
1781便携式照明
1782室内照明
1783室外照明
179光源效率和照明系统整体效率
第18章半导体照明的光品质
181色纯度
182显色性
1821显色指数
1822光色品质量值系统
1823IES TM30-15光源显色性评价方法
18241

內容試閱：

序言
半导体照明是指用全固态发光器件（发光二极管，即ＬＥＤ，是由半导体材料制成的光电器件，可将电能转换为光能）作为光源的照明，具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等显著特点，是近年来全球最具发展前景的高新技术领域之一，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。半导体照明有着巨大的市场与技术创新空间，对提升传统照明工业、带动相关产业发展、扩大就业、培育新的经济增长点意义重大。自２００３年６月启动国家半导体照明工程以来，以节能、环保，实现绿色照明，促进传统照明产业升级，培育有国际竞争力的半导体照明新兴产业为目标，以政府引导、企业主体、市场化运作为原则，经过几年努力，已经形成了从上游材料、芯片到中、下游封装、应用的比较完整的研发与产业体系。２００８年，我国半导体照明产业产值已达７００亿元，芯片国产化率接近５０％，企业总数突破３０００家。我国已成为ＬＥＤ全彩屏、太阳能ＬＥＤ灯、景观照明等应用产品世界最大的生产和出口国，以及国际重要的ＬＥＤ器件封装基地。我国半导体照明产业进入了自主创新、实现跨越式发展的重大历史机遇期，正迎来蓬勃发展的春天。预计２０１０年，产业规模将达１０００亿元。本书作者从事发光二极管科研和教学工作近４０年，曾于１９９２年编著出版《半导体发光材料和器件》一书，以信息显示为主要内容。近２０年的发展，ＬＥＤ发光效率提高了１００倍，特别是蓝光和白光ＬＥＤ的发展，使之成为照明领域的新秀。半导体照明科研和产业的发展迫切需要一本半导体照明技术方面的专著。本书从半导体发光器件和照明两个角度，在介绍半导体照明器件发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细阐述了器件的光电参数测试方法、器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、全面，理论联系实际，重点突出了半导体照明主题，反映了国内外最新的技术进展。书中有些内容也反映了作者及其同事们在这一领域的科研成果。我们希望本书对半导体照明的研发和应用感兴趣的相关人员有所帮助。本书可供高等学校相关专业的教师和学生阅读，也可供从事半导体照明研究和制造的科研人员和生产技术人员参考。
国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲
北京新材料科技促进中心主任２００９年５月４日
第二版前言
２０１４年１０月７日，诺贝尔物理学奖揭晓，赤崎勇、天野浩、中村修二因发明高亮度蓝色发光二极管而荣获瑞典皇家科学院授予的２０１４年度诺贝尔物理学奖。颁奖词称：蓝光ＬＥＤ的出现使得我们可以用全新的方式创造白光。随着ＬＥＤ灯的诞生，我们有了更加持久、更加高效的新技术来取代古老的光源。白炽灯照亮２０世纪，而ＬＥＤ灯将照亮２１世纪。此次获奖是对半导体照明产业巨大价值予以的最大肯定，也是对我国半导体照明产业界的充分肯定和莫大鼓舞。我国自２００３年６月启动国家半导体照明工程以来，在薄弱的基础上，努力拼搏，团结奋进，建成了从上游材料、芯片到中、下游封装应用，以及制造设备、测试仪器完整的产业链。２０１７年，半导体照明总产值达６５３０亿元，与通用照明启动的半导体照明元年２０１０年产值的１２００亿元相比增长了４ ３倍。通用照明已占应用市场的４７ ９％，成为应用市场的第一驱动力。已有四五家企业超过５０亿元营收规模，向１００亿元进军。全年ＬＥＤ照明产品产量达１０６亿只，同比增长３４％。国内市场渗透率达６５％。ＬＥＤ已成为主流光源。全年节电１９８３亿千瓦时，全年出口达１２９亿美元，国际市场上８０％以上的产品产自中国。产业拥有ＭＯＣＶＤ设备超过１７００台，占国际拥有量首位，而且国内已有多家企业批量生产ＭＯＣＶＤ设备，并投入使用。全套芯片、器件、灯具的自动化生产设备已能批量生产。我们已经成为半导体照明大国，并且正在做强，照明强国雏形已现。我们已从早春二月，创造出阳春三月，正在创造ＬＥＤ照明的四月艳阳天，从胜利走向辉煌，实现半导体照明的中国梦！《半导体照明技术》自２００９年出版以来共印一万多册，深得读者之厚爱。更值得欣慰的是，书中所述各种技术已基本实现，仅有全ＬＥＤ白光和光子晶体这两项技术尚待最后突破。２００９年以来半导体照明产业的蓬勃发展，不仅充实和丰富了原书提出的技术内容，还出现了许多如芯片级封装（ＣＳＰ）、智能灯具、ＣＯＢ组件、Ｍｉｃｒｏ－ＬＥＤ等新技术和新产品，显色指数、中间视觉、色容差等研究成果也开始付诸应用，大量的ＬＥＤ照明灯具开始进入千家万户，而科研和产业的发展还有更大的空间，预计到２０２０年左右，总产值将达万亿元。电子工业出版社副总编辑赵丽松建议，对原版修改和增补，以新的面貌再版，使之更能反映当前该领域的科技进步和最新科技成果，展示半导体照明研发和产业的发展方向。本书可供半导体照明领域的科研人员和工程技术人员参考，也可作为高等院校相关专业的教学参考书。我对电子工业出版社的建议和鼎力支持深表感谢！限于时间仓促，书中不当和欠缺之处在所难免，请读者批评指正。复旦大学　方志烈２０１８年３月于上海

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