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p 进 Teichmüller 理论基础（影印版）
『简体书』 作者：Shinichi，Mochizuki 出版：高等教育出版社 日期：2019-01-01 本书为p 进双曲曲线及其模空间的单值化理论奠定了基础。一方面，这个理论将复双曲曲线及其模空间的 Fuchs和Bers单值化推广到了非阿基米德情形，因此该理论在本书中简称为p进 Teichmller理论。另一方面，该理论可以看作是常阿贝尔簇及其模空间的Serre-Tate理论的相当精确的双曲模拟。 p进双曲曲线及其模空 ... |
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垂直型GaN和SiC功率器件
『简体书』 作者：[日]望月 和浩[Kazuhiro Mochizuki] 出版：机械工业出版社 日期：2022-07-01 近年来.以氮化镓GaN和碳化硅SiC等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目.第三代半导体广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业.已成为国际半导体领域的重点研究方向.本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术.内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比 ... |
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