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宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能
『简体书』 作者：陶绪堂 出版：西安电子科技大学出版社 日期：2022-09-01 氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高 ... |
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