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纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
『简体书』 作者：[美]Sandip Kundu，[印]Aswin Sreed 出版：科学出版社 日期：2014-05-01 《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》 共分8章，内容包括当前CMOS VLSI设计的技术趋势， 半导体制造的前期技术，当前和未来CMOS器件中的工 艺参数偏差及其影响，通过版图分析实现光刻控制的 基本原理及重要的光刻参数和概念，半导体制造中出 现的多种制造缺陷，粒子缺陷和基于图形的缺陷对电 ... |
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