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| 內容簡介： |
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本书涵盖等离子体与功能电介质的基本理论及其在多个领域中的具体应用。全书共7章。第1章为绪论，对等离子体和功能电介质进行了简要的介绍；第2章为功能电介质的等离子体改性，介绍了等离子体技术与功能电介质在特高压输电中的应用；第3章为功能电介质极化及老化，分析了功能电介质的极化和老化现象；第4章为功能电介质及传感技术，介绍了传感器的基本原理及应用；第5章为等离子体仿真技术，介绍了现有的等离子体数值模型；第6章和第7章分别为半导体中的等离子体刻蚀和等离子体放电催化，展示了等离子体与功能电介质在半导体及催化领域的应用。 本书可作为电气、电子、物理等专业的高年级本科生、研究生的教材，也可作为等离子体相关科研工作者的参考书。
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| 關於作者： |
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张嘉伟，博士，教授。2000年9月至2004年7月，东北电力大学，学士；2005年9月至2008年3月，东北电力大学硕士；2008年8月至2012年3月，法国里昂国立应用科学院 博士；2004年7月至2019年6月，东北电力大学，讲师，副教授；2013年2月至2014年2月，意大利博洛尼亚大学，博士后研究员；2015年10月至2015年11月，日本福冈大学，访问学者；2019年1月至2019年2月，德国海德堡大学，访问教授；2019年7月至今 西安理工大学，教授。
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| 目錄：
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目 录
第1章 绪论1
1.1 等离子体1
1.1.1 等离子体的基本概念1
1.1.2 等离子体的基本参数2
1.1.3 等离子体的分类4
1.1.4 等离子体的鞘层4
1.2 功能电介质5
1.2.1 电介质的概念及分类5
1.2.2 功能电介质的概念及功能设计7
1.2.3 功能电介质的分类及特点8
第2章 功能电介质的等离子体改性10
2.1 特高压输电技术的发展10
2.1.1 特高压输电技术的发展概述10
2.1.2 特高压交流输电技术12
2.1.3 特高压直流输电技术13
2.2 沿面闪络产生机理17
2.2.1 真空沿面闪络机理17
2.2.2 高气压下沿面闪络机理19
2.3 等离子体表面处理22
2.3.1 表面氟化22
2.3.2 薄膜沉积23
第3章 功能电介质极化及老化25
3.1 功能电介质的极化理论25
3.1.1 功能电介质极化25
3.1.2 功能电介质的极化方法27
3.1.3 常见功能电介质的极化过程29
3.1.4 极化的微观机理32
3.2 功能电介质老化38
3.2.1 老化的含义与老化检测38
3.2.2 老化的类型38
3.3 热老化39
3.3.1 热老化机理39
3.3.2 热氧老化41
3.3.3 绝缘材料的耐热指数42
3.4 大气老化42
3.4.1 光氧化老化43
3.4.2 臭氧老化45
3.4.3 化学老化48
3.5 功能电介质的电老化49
3.5.1 电晕放电老化50
3.5.2 电弧放电老化51
3.5.3 电痕化老化54
3.5.4 树枝化老化56
3.6 特殊环境中的老化57
3.6.1 紫外辐照老化57
3.6.2 盐雾老化58
第4章 功能电介质及传感技术59
4.1 传感材料分类59
4.1.1 压电材料59
4.1.2 热电材料63
4.1.3 光电材料66
4.1.4 磁电材料68
4.1.5 铁电材料70
4.2 传感器理论与参数74
4.2.1 传感器的定义和组成74
4.2.2 传感器的分类74
4.2.3 传感器的基本特性和主要性能指标75
4.3 常用的传感器77
4.3.1 电容式传感器77
4.3.2 压电式传感器80
4.3.3 光电式传感器85
4.3.4 光纤传感器86
4.3.5 磁电式传感器89
4.3.6 温度传感器91
4.3.7 MEMS传感器92
4.4 应用于固体绝缘电介质参数测量的传感技术97
4.4.1 空间电荷测量97
4.4.2 电滞回线测量98
4.4.3 磁滞回线测量100
4.5 应用于等离子体放电参数测量的传感技术101
4.5.1 基于直流辉光放电的等离子体的气体压力传感器101
4.5.2 真空开关电弧形态研究及其等离子体诊断102
第5章 等离子体仿真技术104
5.1 仿真技术发展概述104
5.2 粒子模拟105
5.2.1 电磁场求解105
5.2.2 粒子运动求解108
5.2.3 气体电离处理111
5.3 流体模拟112
5.3.1 等离子体数密度连续性、动量和能量方程113
5.3.2 控制方程116
5.3.3 漂移扩散近似117
5.4 磁流体动力学118
5.4.1 动力学方程119
5.4.2 理想磁流体动力学方程组122
5.5 混合模型123
5.5.1 流体-EEDF混合模型123
5.5.2 DSMC-流体混合模型124
5.5.3 PIC-MCC-流体混合模型125
第6章 半导体中的等离子体刻蚀126
6.1 半导体产业简介126
6.2 半导体材料的基本特性127
6.3 芯片加工工艺133
6.3.1 晶体生长与晶圆氧化133
6.3.2 光刻137
6.3.3 掺杂138
6.3.4 薄膜沉积139
6.4 芯片封装142
6.4.1 简介142
6.4.2 封装功能和设计142
6.4.3 封装工艺143
6.5 离子源介绍147
6.5.1 等离子体的参数147
6.5.2 等离子体离子源的分类149
6.5.3 离子的引出149
6.6 等离子体刻蚀151
6.6.1 晶片偏置152
6.6.2 原料气体的选择153
6.6.3 硅或多晶硅刻蚀154
6.6.4 铝刻蚀154
6.6.5 二氯化硅刻蚀154
6.6.6 等离子体的损害155
第7章 等离子体放电催化156
7.1 概述156
7.1.1 等离子体催化的发展156
7.1.2 等离子体的产生157
7.2 等离子体催化机理160
7.2.1 等离子体与催化剂的相互作用160
7.2.2 等离子体催化原理161
7.3 气相催化应用162
7.3.1 等离子体催化分解氨获得氢能162
7.3.2 甲烷的等离子体催化转化163
7.3.3 等离子体催化分解二氧化碳164
7.3.4 氮氧化物污染166
7.4 液相催化应用167
7.4.1 等离子体水中放电过程167
7.4.2 水中等离子体化学反应170
7.4.3 水中等离子体催化的生物效应172
参考文献174
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